Siliziumkarbidpulver
Produkt beschreiwung
Déi physesch Eegeschafte vum Siliziumkarbidpulver enthalen héich Kraaft, Verschleißbeständegkeet, Korrosiounsbeständegkeet, héich thermesch Konduktivitéit, exzellent elektresch Isolatioun a breet thermesch Schockleistung.Dës Eegeschafte maachen SIC-Pulver en idealt Material, dat wäit an extremen Ëmfeld wéi héich Temperatur, Héichdrock, héich Kraaft a staark Stralung benotzt ka ginn.Siliziumkarbidpulver huet eng breet Palette vun Uwendungen, haaptsächlech Keramik, Hallefleit, nei Energie an aner Felder.Am Beräich vun der Keramik kann Siliziumkarbidpulver benotzt ginn fir héich performant Keramikmaterialien ze preparéieren, wéi Héichtemperatur Keramikbecher, Keramiklager, asw. wéi Dioden, Kraaftapparater, etc.. Am Beräich vun der neier Energie kann Siliziumkarbidpulver benotzt ginn fir Anti-Reflexiounsfilmer fir Solarzellen ze preparéieren fir d'Konvertéierungseffizienz vun der Solarenergie ze verbesseren.
Spezifizéierung Detailer
| Silicon Carbide Sic Pudder Spezifizéierung fir nonabrasive | ||||
| Typ | Referenz chemesch Zesummesetzung (%) | Gréisst (mm) | ||
| SiC | FC | Fe2O3 | ||
| TN98 | ≥98.00 | <1.00h | <0,50 | 50~0 |
| TN97 | ≥97.00 | <1,50 | <0,80 | 13~0 |
| TN95 | ≥95,00 | <2,50 | <1.00h | 10~0 |
| TN90 | ≥90,00 | <3.00h | <2,50 | 5~0 |
| TN88 | ≥88.00 | <3,50 | <3.00h | 0,5~0 |
| TN85 | ≥85,00 | <5.00h | <3,50 | 100 F |
| TN60 | ≥60,00 | <12.00h | <3,50 | 200 F |
| TN50 | ≥50,00 | <15.00h | <3,50 | 325 F |
Qualitéitskontroll System
Huarui huet strikt Qualitéitsmanagement System.Mir testen eis Produkter als éischt nodeems mir eis Produktioun fäerdeg hunn, a mir testen nach eng Kéier virun all Liwwerung, souguer Prouf.A wann Dir braucht, wëlle mir Drëtt Partei akzeptéieren fir ze testen.Natierlech, wann Dir wëllt, kënne mir Iech Prouf ubidden fir ze testen.
Eis Produktqualitéit ass garantéiert vum Sichuan Metallurgical Institute a Guangzhou Institute of Metal Research.Déi laangfristeg Zesummenaarbecht mat hinnen kann vill Testzäit fir Cliente spueren.
